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NTMS5835NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3000
2500
2000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
9
8
7
6
Q T
V GS
1500
5
1000
4
3
Q GS
Q GD
500
0
0
C oss
C rss
10
20
30
40
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
I D = 10 A
T J = 25 ° C
35
40
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
24
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DS = 20 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
t r
20
16
12
8
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t f
t d(off)
t d(on)
4
10
1
10
100
0
0.4
0.6 0.8
1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
75
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
0.1
0.01
100 m s
1 ms
10 ms
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 m s
dc
50
25
I D = 37 A
0.001
0.01
PACKAGE LIMIT
0.1 1 10
100
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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